FETに電流を流すと，ドレイン-ソース間のON抵抗とId電流により電力を消費します．電力は熱となるため，トランジスタが発熱します．データシートにはFETのジャンクション温度の限界値が記載されています．ジャンクションとは，FETパッケージ内で半導体の接合境界面の事です．ジャンクション部分の温度が一定温度を超えると，FETは破壊する恐れがあります．例えばルネサスのQN7002というNchFETでは以下のように定義されています．

■参考リンク
NEC_パワーデバイスにおける熱設計技術
部品温度の実測
部品のTj推定

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